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| 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李宝霞; 张靖; 杨华; 王圩
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| 宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李宝霞; 张靖; 赵玲娟; 王圩
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| 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 朱洪亮; 李宝霞; 张靖; 王圩
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| 光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵玲娟; 张靖; 朱洪亮; 王圩; 周帆; 王宝军; 边静; 王鲁峰
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| 硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张宝顺; 杨辉
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉
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