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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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离子注入法制备磁性半导体及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  宋书林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘志凯;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  宋书林;  李艳丽;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  陈诺夫;  宋书林;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张秀兰;  张富强;  宋书林;  陈诺夫;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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