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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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GaAs 基1.55μm 波段InAs 自组织量子分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  吴兵朋
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