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| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
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| 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人: 程滟; 詹腾; 郭金霞; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽
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| 空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 张杨; 詹腾; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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| 阵列式高压LED器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-09
发明人: 詹腾; 张杨; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
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