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氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生;  杨辉
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具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
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小型化、集成化的硅基场发射-接收器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
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可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
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阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
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碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：343/0  |  提交时间：2016/09/28
一种绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨静;  赵德刚;  陈平;  朱建军
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传感芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  陈弘达;  袁浚;  解意洋;  阚强;  耿照新
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