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在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  王思亮;  俞学哲;  王海龙
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具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  朱礼军
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一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  赵建华;  潘东
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用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  赵建华;  王海龙
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立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  潘东;  赵建华
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一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  鲁军;  肖嘉星;  赵建华
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一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  赵建华;  王海龙
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