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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑厚植;  李桂荣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YK (Bai Yan-Kui);  Li SS (Li Shu-Shen);  Zheng HZ (Zheng Hou-Zhi);  Wang ZD (Wang Z. D.);  Bai, YK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YK (Bai Yan-Kui);  Li SS (Li Shu-Shen);  Zheng HZ (Zheng Hou-Zhi);  Abliz A (Abliz Ahmad);  Bai, YK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ykbai@semi.ac.cn
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