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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Li SS (Li Shu-Shen);  Lu YW (Lue Yan-Wu);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: junwang07@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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