中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  王占国
Adobe PDF(718Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1369/210  |  提交时间：2009/06/11
竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：951/129  |  提交时间：2009/06/11
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  孙国胜;  黄风义;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1298/189  |  提交时间：2009/06/11
水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(705Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：783/110  |  提交时间：2009/06/11
采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
Adobe PDF(507Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1279/175  |  提交时间：2009/06/11
实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
Adobe PDF(637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：958/162  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Chen YH;  Wu J;  Lei W;  Wang ZG;  Zeng YP;  Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangyli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：876/234  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Xu B;  Ye XL;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ahleiwen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1108/294  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Wang YL;  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ahleiwen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：714/163  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Cui CX;  Xu B;  Sun J;  Lei W;  Lu LK;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn;  yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：833/261  |  提交时间：2010/03/17