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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH (Zhu, J. H.);  Wang, LJ (Wang, L. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Wang, H (Wang, H.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Xing MX;  Ren G;  Zheng WH;  Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren G;  Zheng WH;  Zhang YJ;  Wang K;  Du XY;  Xing MX;  Chen LH;  Ren, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gren@mail.semi.ac.cn;  whzheng@semi.ac.cn;  yjzhang@semi.ac.cn;  wangke@semi.ac.cn;  duxy@semi.ac.cn;  mxxing@semi.ac.cn;  chenlh@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren G;  Zheng WH;  Wang K;  Du XY;  Xing MX;  Chen LH;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hua, L;  Song, G;  Guo, B;  Wang, H;  Hua, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hual@semi.ac.cn
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High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Ji, G;  Sun, GS;  Ning, J;  Liu, XF;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Simulation and fabrication of the SiC-based clamped-clamped filter 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Zhao, YM;  Ning, J;  Sun, GS;  Liu, XF;  Wang, L;  Ji, G;  Zhao, WS;  Li, JM;  Yang, FH;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Labs Transducer Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micromechanical Resonators  Frequency  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren G;  Zheng WH;  Zhang YJ;  Xing MX;  Wang K;  Du XY;  Chen LH;  Ren, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@semi.ac.cn
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