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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi LW (Shi Liwei);  Wang Q (Wang Qiang);  Li YG (Li Yuguo);  Xue CS (Xue Chengshan);  Zhuang HZ (Zhuang Huizhao);  Shi, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liweishi@semi.ac.en
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou LP;  Zhu HL;  Kan Q;  Ding Y;  Wang BJ;  Zhou F;  Wang W;  Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: houlp@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯利娜;  姚淑德;  周生强;  赵强;  王坤;  丁志博;  王建峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  徐波;  陈涌海;  姚江宏;  林耀望;  舒永春;  皮彪;  邢晓东;  刘如彬;  舒强;  王占国;  许京军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  陈涌海;  姚江宏;  舒强;  刘如彬;  舒永春;  王占国;  许京军
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