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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孔令民;  蔡加法;  陈厦平;  朱会丽;  吴正云;  牛智川
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