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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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半导体低维结构中的自旋轨道耦合作用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  李超
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈彦超;  赵柏秦;  李伟
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步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨志超;  周盛华;  吴南健;  李美云
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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  张雅丽;  徐桂芝;  张韬;  侯广辉;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆晓东;  韩培德;  全宇军;  叶志成;  吴黎;  陈彦超;  赵春华
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基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  王章涛;  陈媛媛;  李艳萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  额尔敦朝鲁;  李树深;  肖景林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高兴国;  刘超;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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