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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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半导体低维结构中的自旋轨道耦合作用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  李超
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈彦超;  赵柏秦;  李伟
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