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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1583/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06 发明人: 袁丽君; 于红艳; 周旭亮; 王火雷; 潘教青 Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:768/106  |  提交时间:2014/10/24 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:724/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:637/85  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:754/71  |  提交时间:2014/12/25 |
| 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-16 发明人: 袁丽君; 于红艳; 周旭亮; 王火雷; 潘教青 Adobe PDF(611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:757/114  |  提交时间:2014/10/24 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:709/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:642/53  |  提交时间:2014/12/25 |
| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:727/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:619/62  |  提交时间:2014/11/17 |