SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共46条,第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH (Zhu, J. H.);  Wang, LJ (Wang, L. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Wang, H (Wang, H.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(829Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1227/312  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K (Ding, K.);  Zeng YP (Zeng, Y. P.);  Wei XC (Wei, X. C.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Wang JX (Wang, J. X.);  Lu HX (Lu, H. X.);  Cong PP (Cong, P. P.);  Yi XY (Yi, X. Y.);  Wang GH (Wang, G. H.);  Li JM (Li, J. M.);  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/502  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ (Liu, J. Q.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Guo, X (Guo, X.);  Huang, K (Huang, K.);  Zhang, YM (Zhang, Y. M.);  Hu, XJ (Hu, X. J.);  Xu, Y (Xu, Y.);  Xu, K (Xu, K.);  Huang, XH (Huang, X. H.);  Yang, H (Yang, H.);  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1434/599  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, HL (Zhu, H. L.);  Xie, HY (Xie, H. Y.);  Zhao, LJ (Zhao, L. J.);  Zhou, F (Zhou, F.);  Wang, W (Wang, W.);  Yang, H, Nanyang Technol Univ, Singapore 639798, Singapore.
Adobe PDF(695Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:810/255  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang PF (Zhang, P. F.);  Liu XL (Liu, X. L.);  Wei HY (Wei, H. Y.);  Fan HB (Fan, H. B.);  Liang ZM (Liang, Z. M.);  Jin P (Jin, P.);  Yang SY (Yang, S. Y.);  Jiao CM (Jiao, C. M.);  Zhu QS (Zhu, Q. S.);  Wang ZG (Wang, Z. G.);  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/319  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shao, YD (Shao, Y. D.);  Wang, Z (Wang, Z.);  Dai, YQ (Dai, Y. Q.);  Zhao, YW (Zhao, Y. W.);  Tang, FY (Tang, F. Y.);  Wang, Z, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzhu@positron.whu.edu.cn;  dai@whu.edu.cn
Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1108/333  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Zheng);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Ji, Y (Ji, Yang);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Wang, BR (Wang, B. R.);  Huang, SS (Huang, S. S.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1063/352  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY (Li R. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Guo X (Guo X.);  Chen M (Chen M.);  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ryli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1095/363  |  提交时间:2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J (Li, Jun);  Shi, SL (Shi, S. L.);  Wang, YJ (Wang, Y. J.);  Xu, SJ (Xu, S. J.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Yang, H (Yang, H.);  Lu, F (Lu, F.);  Li, J, Fudan Univ, Dept Phys, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/374  |  提交时间:2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1364/197  |  提交时间:2010/03/29
Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide