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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
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降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  王雷;  赵万顺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao Lei);  Chen YH (Chen Yong-hai);  Zuo YH (Zuo Yu-hua);  Wang HN (Wang Hai-ning);  Shi WH (Shi Wen-hua);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵雷;  陈涌海;  左玉华;  王海宁;  时文华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴远大;  夏君磊;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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