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作者:  Wang JF (Wang J. F.);  Yao DZ (Yao D. Z.);  Chen J (Chen J.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@red.semi.ac.cn
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作者:  Wang H (Wang H.);  Huang Y (Huang Y.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Wang LL (Wang L. L.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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作者:  Xu SJ;  Li GQ;  Wang YJ;  Zhao Y;  Chen GH;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Yu DP;  Wang JN;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Joint Lab New Mat, CAS, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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