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甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  卫炀;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
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Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  张艳华;  马文全;  曹玉莲
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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  黄建亮;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
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钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  曹玉莲;  马文全;  张艳华
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