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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱洪亮;  许晓冬;  王桓;  孔端花;  梁松;  王宝军;  赵玲娟;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong DH;  Zhu HL;  Liang S;  Zhang HG;  Sun Y;  Wang H;  Zhang W;  Zhao LJ;  Kong DH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kdh@semi.ac.cn;  Liangsong@red.semi.ac.cn
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模式相干的双模半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王列松;  赵玲娟;  王圩;  朱洪亮;  潘教青;  梁松
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang LF;  Zhou F;  Shu HY;  Bian J;  An X;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DB;  Zhu HL;  Liang S;  Wang BJ;  Zhang YL;  Liu Y;  Kong DH;  Zhang W;  Wang H;  Wang LS;  Sun Y;  Zhang YX;  Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Dingbo;  Zhu Hongliang;  Liang Song;  Wang Baojun;  Wang Lufeng;  Kong Duanhua;  Zhang Wei;  Wang Huan;  Sun Yu;  Zhang Yunxiao;  Wang Liesong
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利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  侯康平;  杨华;  梁松;  王圩
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双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269026.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  梁松;  朱洪亮;  王圩
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一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  朱小宁;  梁松;  张兴旺;  刘德伟;  王圩
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NPN异质结双极型晶体管激光器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240353.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  梁松;  朱洪亮;  王圩
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