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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wei TB; Kong QF; Wang JX; Li J; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Liao YX; Yi FT; Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. tbwei@semi.ac.cn Adobe PDF(996Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2869/1019  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wei XC; Huo ZQ; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn Adobe PDF(373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/426  |  提交时间:2010/03/08 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1756/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1858/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1628/227  |  提交时间:2011/08/31 |