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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun Q; Zhang JC; Huang Y; Chen J; Wang JF; Wang H; Li DY; Wang YT; Zhang SM ; Yang H; Zhou CL; Guo LP; Jia QJ; Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qsun@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun Q; Huang Y; Wang H; Chen J; Jin RQ; Zhang SM; Yang H; Jiang DS; Jahn U; Ploog KH; Sun, Q, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsun@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun YP; Shen XM; Wang J; Zhao DG; Feng G; Fu Y; Zhang SM; Zhang ZH; Feng ZH; Bai YX; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun YP; Fu Y; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Shen XM; Zhao DG; Zheng XH; Duan LH; Li BC; Zhang SM; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙元平; 付羿; 渠波; 王玉田; 冯玉宏; 赵德刚; 郑新和; 段俐宏; 李秉臣; 张书明; 杨辉; 姜晓明; 郑文莉; 贾全杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙元平; 张泽洪; 赵德刚; 冯志宏; 付羿; 张书明; 杨辉
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| MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Yang H; Zhang SM; Xu DP; Li SF; Zhao DG; Fu Y; Sun YP; Feng ZH; Zheng LX; Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd Gan Ingan Cubic Led Chemical-vapor-deposition Molecular-beam Epitaxy Gallium Nitride Phase Epitaxy Ingan Films Electroluminescence Zincblende Wurtzite Mbe |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李顺峰; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 孙小玲; 王玉田; 张书明
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉
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