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准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  王书学;  朱洪亮
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带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张洪波;  韦欣;  朱晓鹏;  王国宏;  马骁宇
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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面发射激光器同轴封装用的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张胜利;  孙建伟;  祝宁华
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵玲娟;  张靖;  朱洪亮;  王圩;  周帆;  王宝军;  边静;  王鲁峰
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渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ;  Han XX;  Li JM;  Li DB;  Lu Y;  Wei HY;  Cong GW;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong, GW;  Wei, HY;  Zhang, PF;  Peng, WQ;  Wu, JJ;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Hu, WG;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gwcong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Jiaoqing;  Wang Wei;  Zhu Hongliang;  Zhao Qian;  Wang Baojun;  Zhou Fan;  Wang Lufeng
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