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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang H;  Zheng HZ;  Zhang JD;  Tan PH;  Yang FH;  Zeng YP;  Zhang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia YL;  Wei ZY;  Zheng JA;  Ling WJ;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang ZG;  Jia, YL, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Lab Opt Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: wzhy@aphy.iphy.ac.cn
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Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Fan, K;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Simox  Fluorine  Ionizing Radiation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张思霞;  孙佳胤;  易万兵;  陈静;  金波;  陈猛;  张正选;  张国强;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈俊;  张书明;  张宝顺;  朱建军;  冯淦;  段俐宏;  王玉田;  杨辉;  郑文琛
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