SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-5 of 5 Help

Filters    
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1622Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1387/117  |  Submit date:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1501Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1543/153  |  Submit date:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1262Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1421/148  |  Submit date:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
Adobe PDF(1337Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1461/128  |  Submit date:2009/06/11
单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李艳丽;  陈诺夫;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(391Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1291/151  |  Submit date:2009/06/11