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Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Reflectance-difference Spectroscopy  Indium Segregation  Ingaas/gaas Quantum Wells  Epitaxy-grown Ingaas/gaas  Surface Segregation  Interface  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  Cheng WC;  Li GH;  Chen CY;  Zhang SB;  Xu YY;  Chen WD;  Kong GL;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Chen WD;  Chen CY;  Diao HW;  Zhang SB;  Xu YY;  Kong GL;  Liao XB;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YC;  Wang ZG;  Xu B;  Liu FQ;  Chen YH;  Dowd P;  Zhang YC,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn,Photon Lab 1,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu JC;  Ding XP;  Chen DQ;  Xu JC,Capital Normal Univ,Dept Phys,Beijing 100037,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SB;  Liao XB;  An L;  Yang FH;  Kong GL;  Wang YQ;  Xu YY;  Chen CY;  Diao HW;  Zhang SB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  Zhang SB;  Xu YY;  Chen CY;  Chen WD;  Kong GL;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈长勇;  陈维德;  王永谦;  宋淑芳;  许振嘉;  郭少令
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu Xiaopeng;  Xu Zuntu;  Zhang Jingming;  Ma Xiaoyu;  Chen Lianghui
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