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液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  钟兴儒;  徐自亮;  田金法;  吴金良;  陈诺夫
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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1382/205  |  提交时间：2009/06/11
下开平动式直拉单晶炉 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  钟兴儒;  田金法;  吴金良;  林兰英;  陈诺夫
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Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas  Outer Space  Microgravity  Integrated Circuit  Semiinsulating Gallium-arsenide  Lec-gaas  Defects  Stoichiometry  Segregation  Carbon  Boron  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张砚华;  范缇文;  陈延杰;  吴巨;  陈诺夫;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴金良;  钟兴儒;  陈诺夫;  田金法;  林兰英
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