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| 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 薛春来; 成步文; 姚飞; 王启明 Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1232/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming); Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn Adobe PDF(208Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:993/326  |  提交时间:2010/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xue CL (Xue Chun-Lai); Yao F (Yao Fei); Shi WH (Shi Wen-Hua); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang HJ (Wang Hong-Jie); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming); Xue, CL, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: clxue@semi.ac.cn Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/286  |  提交时间:2010/03/29 |
| SiGe/Si 射频功率HBT 器件的研制 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 薛春来 Adobe PDF(12165Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:949/39  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming); Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn Adobe PDF(236Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:772/212  |  提交时间:2010/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming); Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn Adobe PDF(155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/270  |  提交时间:2010/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xue Chunlai; Shi Wenhua; Yao Fei; Cheng Buwen; WANG Hongjie; Yu Jinzhong; WANG Qiming Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:902/221  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shi Wenhua; Xue Chunlai; Luo Liping; Wang Qiming Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:873/246  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明 Adobe PDF(461Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:999/319  |  提交时间:2010/11/23 |