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无权访问的条目 期刊论文
作者:  F.S. Krasniqi;   Y. Zhong;   S.W. Epp;   L. Foucar;   M. Trigo;   J. Chen;   D.A. Reis;   H.L. Wang;   J.H. Zhao;   H.T. Lemke;   D. Zhu;   M. Chollet;   D.M. Fritz;   R. Hartmann;   L. Englert;   L. Strüder;   I. Schlichting;   J. Ullrich
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  P. Y. Zhou;  X. F. Wu;  K. Ding;  X. M. Dou;  G. W. Zha;  H. Q. Ni;  Z. C. Niu;  H. J. Zhu;  D. S. Jiang;  C. L. Zhao;  B. Q. Sun
Adobe PDF(1502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：275/4  |  提交时间：2016/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  W. Liu;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  P. Chen;  Z. S. Liu;  J. J. Zhu;  M. Shi;  D. M.Zhao;  X. Li;  J. P. Liu;  S. M. Zhang;  H. Wang;  H. Yang;  Y. T. Zhang;  G. T.Du
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang
Adobe PDF(870Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：738/330  |  提交时间：2014/04/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Le LC (Le, L. C.);  Zhao DG (Zhao, D. G.);  Jiang DS (Jiang, D. S.);  Zhang SM (Zhang, S. M.);  Yang H (Yang, H.);  Li L (Li, L.);  Wu LL (Wu, L. L.);  Chen P (Chen, P.);  Liu ZS (Liu, Z. S.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Fan YM (Fan, Y. M.);  Zhu JJ (Zhu, J. J.);  Wang H (Wang, H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding Y (Ding Y.);  Fan WJ (Fan W. J.);  Ma BS (Ma B. S.);  Xu DW (Xu D. W.);  Yoon SF (Yoon S. F.);  Liang S (Liang S.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Wasiak M (Wasiak M.);  Czyszanowski T (Czyszanowski T.);  Nakwaski W (Nakwaski W.);  Ding, Y, NanyangTechnolUniv, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: yding@ntu.edu.sg
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1163/429  |  提交时间：2010/11/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H (Wang H.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Jahn U (Jahn U.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Qiu YX (Qiu Y. X.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@semi.ac.cn
Adobe PDF(670Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3290/1469  |  提交时间：2010/12/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao CW (Zhao C. W.);  Xing YM (Xing Y. M.);  Yu JZ (Yu J. Z.);  Han GQ (Han G. Q.)
Adobe PDF(444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1186/509  |  提交时间：2010/09/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH (Zhu, J. H.);  Wang, LJ (Wang, L. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Wang, H (Wang, H.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide