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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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光电子研究发展中心 [3]
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:
张小宾
;
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
冉军学
;
王翠梅
;
李晋闽
Adobe PDF(624Kb)
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View/Download：2027/313
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Submit date：2011/08/31
高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
Inventors:
刘炜
;
赵德刚
;
陈平
;
刘宗顺
;
江德生
Adobe PDF(434Kb)
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Favorite
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View/Download：715/4
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Submit date：2016/09/02
基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:
刘炜
;
赵德刚
;
陈平
;
刘宗顺
;
朱建军
;
江德生
Adobe PDF(353Kb)
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Favorite
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View/Download：609/2
|
Submit date：2016/09/12
InGaN量子点的外延结构及生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:
刘炜
;
赵德刚
;
陈平
;
刘宗顺
;
朱建军
;
江德生
Adobe PDF(537Kb)
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View/Download：516/2
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Submit date：2016/09/12
