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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 黎大兵 ; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国
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| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国
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| 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 杨霏; 尹志岗; 柴春林; 吴金良
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| GaN上AiGaN薄膜的MOCVD生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 孙钱
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| InN 薄膜的MOCVD 生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 黄勇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋淑芳; 陈维德; 张春光; 卞留芳; 许振嘉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王兆阳; 胡礼中; 赵杰; 孙捷; 王志俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张兴旺; 陈诺夫; Boyen H-G; Ziemann P
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡志华; 廖显伯
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