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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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薛春来 [6]
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作者:薛春来
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半导体应变弛豫材料的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
成步文
;
姚飞
;
薛春来
;
张建国
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(497Kb)
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cheng BW
;
Yao F
;
Xue CL
;
Zhang JG
;
Li CB
;
Mao RW
;
Zuo YH
;
Luo LP
;
Wang QM
;
Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:995/348
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提交时间:2010/03/17
Si-based membrane resonant cavity enhanced photodetectors
会议论文
2005 2nd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Antwerp, BELGIUM, SEP 21-23, 2005
作者:
Cheng BW
;
Yao F
;
Xue CL
;
Zhang JU
;
Mao RW
;
Li CB
;
Luo LP
;
Zuo YH
;
Wang QM
;
Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(481Kb)
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浏览/下载:2016/368
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提交时间:2010/03/29
1.3 Mu-m
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cheng BW
;
Li CB
;
Yao F
;
Xue CL
;
Zhang JG
;
Mao RW
;
Zuo YH
;
Luo LP
;
Wang QM
;
Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1066/264
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
成步文
;
姚飞
;
薛春来
;
张建国
;
李传波
;
毛容伟
;
左玉华
;
罗丽萍
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
胡炜玄
;
成步文
;
薛春来
;
张广泽
;
王启明
Adobe PDF(216Kb)
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浏览/下载:1425/164
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提交时间:2011/08/30