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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:
汤宝
;
周志强
;
郝瑞亭
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:
周志强
;
郝瑞亭
;
汤 宝
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo J
;
Peng ZY
;
Sun WG
;
Xu YQ
;
Zhou ZQ
;
Niu ZC
;
Guo J NW Polytech Univ Xian 710000 Shaanxi Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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浏览/下载:1014/294
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Li H
;
Wang Z
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Ke JY
;
Zhao YW
;
Wang Z Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. E-mail Address: wangz@whu.edu.cn
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浏览/下载:1118/278
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Li J
;
Yang W
;
Chang K
;
Li J Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kchang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo J
;
Peng ZY
;
Lu ZX
;
Sun WG
;
Hao RT
;
Zhou ZQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
;
Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
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浏览/下载:1149/346
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提交时间:2010/03/08
InAs/GaSb超晶格及量子点材料生长研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
周志强
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
;
Li MC Harbin Inst Technol Sch Mat Sci & Engn POB 405 Harbin 150001 Peoples R China. E-mail Address: mcli@hit.edu.cn
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浏览/下载:1177/419
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo J
;
Sun WG
;
Peng ZY
;
Zhou ZQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
;
Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710000 Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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浏览/下载:964/308
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang B
;
Xu YQ
;
Zhou ZQ
;
Hao RT
;
Wang GW
;
Ren ZW
;
Niu ZC
;
Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08