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作者:  Chen DB;  Zhu HL;  Liang S;  Wang BJ;  Zhang YL;  Liu Y;  Kong DH;  Zhang W;  Wang H;  Wang LS;  Sun Y;  Zhang YX;  Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  朱小宁;  梁松;  张兴旺;  刘德伟;  王圩
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