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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期
2005 [22]
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共22条,第1-10条
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发表日期:2005
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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条数/页:
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75
80
85
90
95
100
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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
车晓玲
;
刘峰奇
;
黄秀颀
;
雷文
;
刘俊岐
;
王占国
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浏览/下载:1459/210
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提交时间:2009/06/11
竖直式离子注入碳化硅高温退火装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
Adobe PDF(787Kb)
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浏览/下载:1030/129
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提交时间:2009/06/11
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓峰
;
曾一平
;
孙国胜
;
黄风义
;
王雷
;
赵万顺
Adobe PDF(537Kb)
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浏览/下载:1371/189
  |  
提交时间:2009/06/11
水平式离子注入碳化硅高温退火装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
Adobe PDF(705Kb)
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浏览/下载:858/110
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提交时间:2009/06/11
采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
安俊明
;
李健
;
郜定山
;
夏君磊
;
李建光
;
王红杰
;
胡雄伟
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浏览/下载:1481/175
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提交时间:2009/06/11
实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
安俊明
;
李健
;
郜定山
;
夏君磊
;
李建光
;
王红杰
;
胡雄伟
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浏览/下载:1044/162
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang YL
;
Chen YH
;
Wu J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zeng YP
;
Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangyli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:876/234
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Wang YL
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1108/294
  |  
提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Wang YL
;
Ye XL
;
Jin P
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:714/163
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Cui CX
;
Xu B
;
Sun J
;
Lei W
;
Lu LK
;
Wang ZG
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
;
yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:833/261
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提交时间:2010/03/17