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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-03, 2010-08-12
发明人:
孙 阳
;
陈少武
;
徐学俊
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浏览/下载:1492/240
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Y
;
Hu H
;
Chen L
;
Song G
;
Zhuang W
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuyun@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1690/473
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提交时间:2010/03/08
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:
汤宝
;
周志强
;
郝瑞亭
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1689/287
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提交时间:2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:
周志强
;
郝瑞亭
;
汤 宝
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1581/257
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提交时间:2010/03/19
一种半导体固态白光光源的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-01, 公开日期: 4005
发明人:
徐云
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浏览/下载:1235/247
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提交时间:2010/03/19
分布反馈光纤激光器调频、降噪的装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993
发明人:
徐团伟
;
李 芳
;
刘育梁
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浏览/下载:1369/216
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提交时间:2010/03/19
Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Ji
;
HM
;
Cao
;
YL
;
Xu PF
;
Gu YX
;
Ma WQ
;
Liu Y
;
Wang X
;
Xie L
;
Yang T
;
Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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浏览/下载:1864/471
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提交时间:2010/06/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu XS (Xu Xingsheng)
;
Yamada T (Yamada Toshiki)
;
Ueda R (Ueda Rieko)
;
Otomo A (Otomo Akira)
;
Xu, XS, Natl Inst Informat & Commun Technol, Kobe Adv ICT Ctr, Nishi Ku, 588-2 Iwaoka, Kobe, Hyogo 6512492, Japan. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1142/273
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
;
Chen J Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: ewjfan@ntu.edu.sg
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浏览/下载:1135/327
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, YS (Peng, Yin-Sheng)
;
Xu, B (Xu, Bo)
;
Ye, XL (Ye, Xiao-Ling)
;
Niu, JB (Niu, Jie-Bin)
;
Jia, R (Jia, Rui)
;
Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo)
;
Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08