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| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国 Adobe PDF(718Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1376/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光纤激光器谐振腔的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯小明; 马骁宇; 王晓薇; 方高瞻; 王颖 Adobe PDF(211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1499/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1671/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(383Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1159/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 中间镜式半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1337/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 表面高反型半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1006/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1081/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1235/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1005/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:804/123  |  提交时间:2009/06/11 |