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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, K;  Ma, XY;  Lin, T;  Wang, J;  Liu, SP;  Zhang, GZ;  Zheng, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhengkai@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, XM;  Wang, YG;  Liu, YY;  Lan, YS;  Lin, T;  Wang, J;  Wang, XW;  Fang, GZ;  Ma, XY;  Zhang, ZG;  Feng, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  裴为华;  陈弘达;  唐君;  鲁琳;  刘金彬;  吴惠娟;  陈晶华;  胡小凤;  黎晓新;  李凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王俊;  马骁宇;  林涛;  郑凯;  冯小明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  张广泽;  张洪波;  马骁宇;  李献杰
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