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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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利用光掩模板作无源对准的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  唐君;  申荣铉;  孙增辉;  贾九春
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矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘志宏;  王圩
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半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘志宏;  王圩
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛陆虹;  李伟;  陈弘达;  高鹏;  孙增辉;  陈永权
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang ZD;  Gong Z;  Miao ZH;  Niu ZC;  Shen GD;  Fang, ZD, Beijing Polytech Univ, Optoelect Technol Lab, Beijing 100022, Peoples R China.
Adobe PDF(300Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：817/187  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu ZH;  Liao XB;  Diao HW;  Xia CF;  Zeng XB;  Hao HY;  Kong GL;  Hu, ZH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: huzhihua@public.kin.yn.cn
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原子氢辅助分子束外延生长技术及InAs/GaAs 纳米结构的形貌可控性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  苗振华
Adobe PDF(1212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：793/12  |  提交时间：2009/04/13
适用于光电子集成的新型发光器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  孙增辉
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