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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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半导体激光器同轴器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振宇;  刘宇;  王欣
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一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  韩培德;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Xin HL;  Fang C;  Wang, CX;  Li F;  Li ZM;  Liu YL;  Wang, QM;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱天伟;  徐波;  何军;  赵凤瑷;  张春玲;  谢二庆;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  张丙元;  陈檬;  李港
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  时文华;  李传波;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈檬;  张丙元;  李港;  王勇刚
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