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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [2]
半导体材料科学中心 [1]
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会议论文 [3]
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2011 [2]
2009 [1]
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2009 14TH ... [1]
3RD INTERN... [1]
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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
阎Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Ye XL (Ye Xiaoling)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2011/07/17
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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提交时间:2011/07/15
Strain-compensated InGaAs/InAlAs quantum-cascade lasers
会议论文
2009 14TH OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC 2009): 835-836 2009, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JUL 13-17, 2009
作者:
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Li L (Li Lu)
;
Wang LJ (Wang Lijun)
;
Liu JQ (Liu Junqi)
Adobe PDF(324Kb)
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提交时间:2011/07/14