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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, H;  Han, WH;  Li, XM;  Zhang, YB;  Yang, FH
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多面栅FinFET的制备与电学特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  张严波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Xu, XN;  Zhang, YB;  Wang, XD;  Yang, FH;  Cao, HZ;  Jin, F;  Dong, XZ;  Zhao, ZS;  Duan, XM;  Liu, Y
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YB (Zhang Yanbo);  Xiong Y (Xiong Ying);  Yang XA (Yang Xiang);  Wang Y (Wang Ying);  Han WH (Han Weihua);  Yang FH (Yang Fuhua);  Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
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半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
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一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人:  李小明;  韩伟华;  张严波;  颜伟;  杜彦东;  陈燕坤;  杨富华
Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:893/91  |  提交时间:2014/10/24