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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua)
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang JY; Wang XF; Wang XD; Fan ZC; Li Y ; Ji A; Yang FH; Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn; wangxiaofeng@semi.ac.cn; fhyang@red.semi.ac.cn
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| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华
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| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华
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| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华
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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华
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| 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240934.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东
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| 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240935.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东
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| 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240931.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 田晓丽; 王晓峰; 张加勇; 杨富华; 王晓东
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