已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu D (Xu Dong); Jiang B (Jiang Bin); Jiao L (Jiao Lei); Cui FD (Cui Feng-dan); Xu HX (Xu Hong-xing); Yang YT (Yang Yong-tao); Yu RH (Yu Ren-hong); Cheng XN (Cheng Xiao-nong) Adobe PDF(2527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:860/194  |  提交时间:2013/03/26 |
| 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张曙光; 张兴旺; 尹志岗; 董敬敬; 游经碧 Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1698/244  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国 Adobe PDF(1860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/34  |  提交时间:2011/08/31 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1383/136  |  提交时间:2014/11/24 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1605/130  |  提交时间:2014/11/24 |
| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/125  |  提交时间:2014/10/31 |
| 碳化硅材料腐蚀炉 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1052/120  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(1172Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:592/46  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种碳化硅薄膜生长设备 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:616/70  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:835/80  |  提交时间:2014/12/25 |