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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang Adobe PDF(1839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:393/4  |  提交时间:2016/03/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: F. Gao; S. Luo; H.M. Ji; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang Adobe PDF(1607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:278/3  |  提交时间:2016/03/22 |
| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1504/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 汪明; 杨涛 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨晓光; 杨涛 Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1320/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1550/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国 Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:737/4  |  提交时间:2016/09/12 |
| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:949/102  |  提交时间:2014/10/24 |
| 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10 发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 王涛; 姚丹阳; 王占国 Adobe PDF(276Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:820/95  |  提交时间:2014/11/17 |
| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:814/79  |  提交时间:2014/10/28 |