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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [8]
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专利 [4]
期刊论文 [4]
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2014 [4]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Yan, JD
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Hou, X
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yan, JD
;
Wang, XL
;
Wang, Q
;
Qu, SQ
;
Xiao, HL
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Yin, HB
;
Jiang, LJ
;
Li, BQ
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, W
;
Wang, XL
;
Qu, SQ
;
Wang, Q
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Peng, EC
;
Hou, X
;
Wang, ZG
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浏览/下载:527/113
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提交时间:2015/03/25
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:
王翠梅
;
王晓亮
;
彭恩超
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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浏览/下载:764/80
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提交时间:2014/12/25
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
肖红领
;
彭恩超
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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提交时间:2014/10/31
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:
王晓亮
;
彭恩超
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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提交时间:2014/10/24
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人:
王晓亮
;
彭恩超
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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提交时间:2014/12/25