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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [17]
作者
李运涛 [1]
李智勇 [1]
张明兰 [1]
文献类型
期刊论文 [10]
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发表日期
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2008 [10]
2007 [1]
2005 [1]
1992 [2]
1991 [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
杨翠柏
;
肖红领
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李晋闽
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浏览/下载:1583/220
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ML
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Tang J
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Hu GX
;
Ran JX
;
Wang MG
;
Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1139/347
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提交时间:2010/03/08
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1608/246
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提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
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浏览/下载:1560/200
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, XB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1427/423
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1193/394
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng, C
;
Wang, XL
;
Yang, CB
;
Xiao, HL
;
Zhang, ML
;
Jiang, LJ
;
Tang, J
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, ZG
;
Feng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cfeng@semi.ac.cn
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浏览/下载:1208/366
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Yang, CB
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Wang, JX
;
Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1570/729
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提交时间:2010/03/08