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模式相干的双模半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王列松;  赵玲娟;  王圩;  朱洪亮;  潘教青;  梁松
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DB;  Zhu HL;  Liang S;  Wang BJ;  Zhang YL;  Liu Y;  Kong DH;  Zhang W;  Wang H;  Wang LS;  Sun Y;  Zhang YX;  Chen, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: boydchen@semi.ac.cn
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