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| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 何金孝 Adobe PDF(628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1070/213  |  提交时间:2010/03/19 |
| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 王晓峰 Adobe PDF(628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1402/238  |  提交时间:2010/03/19 |
| 在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999 发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 李晋闽; 王晓峰 Adobe PDF(601Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1396/239  |  提交时间:2010/03/19 |
| 光波导传输损耗的测量方法和测量装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 余和军; 李智勇; 陈少武; 余金中 Adobe PDF(595Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1371/196  |  提交时间:2009/06/11 |
| 短小光波导芯片的测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 余和军; 余金中; 邢波 Adobe PDF(572Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1398/203  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于SOI的光子晶体分束器及制法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 余和军; 余金中; 陈少武 Adobe PDF(855Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:997/109  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 余和军; 余金中; 陈少武 Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:951/137  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1372/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1313/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:722/1  |  提交时间:2016/08/30 |