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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH; Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1554/374  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王兵; 李志聪; 姚然; 梁萌; 闫发旺; 王国宏 Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1410/194  |  提交时间:2011/08/16 |
| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1518/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1824/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1600/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2067/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1769/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1615/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1910/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1636/288  |  提交时间:2011/08/31 |